mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)

mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路首先，單片機(jī)能夠輸出直流信號(hào)，可是它的驅(qū)動(dòng)才能也是有限的，所以單片機(jī)普通做驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大的功率管如Mos管，來(lái)發(fā)作大電流然后驅(qū)動(dòng)電機(jī)，且占空比巨細(xì)能夠經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片操控加在電機(jī)上的均勻電壓到達(dá)轉(zhuǎn)速調(diào)理的意圖。電機(jī)驅(qū)動(dòng)首要選用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，H 橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)操控電路，因?yàn)樗碾娐吠庑慰崴谱帜?H，故得名曰“H 橋”。4個(gè)開(kāi)關(guān)組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠。要使電機(jī)作業(yè)，必需使對(duì)角線上的一對(duì)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，經(jīng)過(guò)不同的電流方向來(lái)操控電機(jī)正回轉(zhuǎn)，

（二）H橋驅(qū)動(dòng)原理

別的，因?yàn)轵?qū)動(dòng)電路或許會(huì)發(fā)作較大的回灌電流，為避免對(duì)單片機(jī)發(fā)作影響，Z好用阻隔芯片阻隔，阻隔芯片選取有很多方式，如2801等，這些芯片常做操控總線驅(qū)動(dòng)器，效果是前進(jìn)驅(qū)動(dòng)才能，滿意一定條件后，輸出與輸入相同，可中止數(shù)據(jù)單向傳輸，即單片機(jī)信號(hào)能夠到驅(qū)動(dòng)芯片，反過(guò)來(lái)不行。

mos電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路規(guī)劃

（一）選用集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

下面，側(cè)重介紹咱們?cè)谄匠Ｒ?guī)劃驅(qū)動(dòng)電路時(shí)Z常用的驅(qū)動(dòng)電路。半橋驅(qū)動(dòng)芯片 BTS7960 搭成全橋驅(qū)動(dòng)。其驅(qū)動(dòng)電流約 43A，而其晉級(jí)產(chǎn)品 BTS7970 驅(qū)動(dòng)電流能夠達(dá)到 70 幾安培！并且也有其可替代產(chǎn)品 BTN7970，它的驅(qū)動(dòng)電流Z大也能達(dá)七十幾安！

每片芯片的內(nèi)部有兩個(gè) MOS 管，當(dāng) IN 輸入高電平常上邊的 MOS 管導(dǎo)通，常稱為高邊 MOS 管，當(dāng) IN 輸入低電平常，下邊的 MOS 管導(dǎo)通，常稱為低邊 MOS管；當(dāng) INH 為高電平常使能整個(gè)芯片，芯片作業(yè)；當(dāng) INH 為低電平常，芯片不作業(yè)。

INH一般運(yùn)用時(shí),咱們直接接高電平，使整個(gè)電路一直處于作業(yè)狀況。

下面就是怎么樣用該電路使得電機(jī)正回轉(zhuǎn)？假設(shè)當(dāng)PWM1端輸入PWM波，PWM2端置0,電機(jī)正轉(zhuǎn)；那么當(dāng) PWM1端為0,PWM2端輸入PWM 波時(shí)電機(jī)將回轉(zhuǎn)！運(yùn)用此辦法需要兩路PWM信號(hào)來(lái)操控一個(gè)電機(jī)！其實(shí)能夠只用一路 PWM 接 PWM1 端，別的 PWM2 端能夠接在 IO 端口上，用于操控方向！假設(shè) PWM2=0，PWM1 輸入信號(hào)時(shí)電機(jī)正轉(zhuǎn)；那么當(dāng) PWM2=1是，PWM1 輸入信號(hào)電機(jī)回轉(zhuǎn)（有必要注意：此刻PWM信號(hào)輸入的是其對(duì)應(yīng)的負(fù)占空比）！

以上的電路，關(guān)于普通功率的底盤，其驅(qū)動(dòng)電流已經(jīng)能夠滿意，可是關(guān)于更大功率的底盤，或許有點(diǎn)費(fèi)勁。尤其是當(dāng)咱們加的底盤在不斷的加減速時(shí)，這就需要電機(jī)不斷的正回轉(zhuǎn)，此刻的電流很大，還用以上的驅(qū)動(dòng)電路，芯片會(huì)很燙??！這個(gè)時(shí)分就需要咱們自己用 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)芯片自己規(guī)劃 H 橋！

（二）大功率 MOS 管組成電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

電動(dòng)機(jī)操控器中MOS的效果

通狀況損耗（不同mos這個(gè)距離或許很大），尤其是pwm沒(méi)完全打開(kāi)，處于脈寬調(diào)制狀況時(shí)（對(duì)應(yīng)電動(dòng)車的起步加快狀況），而Z高急速狀況往往是導(dǎo)通損耗為主。

Mos損壞首要原因：過(guò)流，大電流引起的高溫?fù)p壞（分繼續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導(dǎo)致結(jié)溫超越承受值）；過(guò)壓，源漏級(jí)大于擊穿電壓而擊穿；柵極擊穿，一般因?yàn)闁艠O電壓受外界或驅(qū)動(dòng)電路損壞超越答應(yīng)Z高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞。