典型的肖特基二極管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面構成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極運用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊際區(qū)域的電場，進步管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊構成N+陰極層，其作用是減小陰極的觸摸電阻。經過調整結構參數(shù)N型基片和陽極金屬之間便構成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩頭加上正向偏壓(陽極金屬接電源正 ，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小; 反之，若在肖特基勢壘兩頭加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。肖特基二極管原理金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的觸摸面上，用已構成的肖特基來阻擋反向電壓。

  肖特基二極管與PN結的整流效果原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特點是：開關速度非常快：反向恢復時間特別地短。因而，能制造開關二極和低壓大電流整流二極管。

  肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，使用二者觸摸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著很多的電子，貴金屬中僅有極少量的 自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中分散。明顯，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的 分散運動。隨著電子不斷從B分散到A，B表面電子濃度逐漸下降，表面電中性被損壞，于是就構成勢壘，其電場 方向為B→A。但在該電場效果之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于分散運動而構成的 電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子分散運動到達相對平衡，便構成了肖特基勢壘。

  典型的肖特基整流管的內部電路結構如圖1所示。它是以N型半導體為基片，在上面構成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極（阻檔層）金屬材料是鉬。二氧化硅（SiO2）用來消除邊際區(qū)域的電場，進步管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊構成N+陰極層，其效果是減小陰極的觸摸電阻。經過調整結構參數(shù)，可在基片與陽極金屬之間構成適宜的肖特基勢壘，當加上正偏壓E時，金屬A和N型基片B分別接電源的正、負極，此時局壘寬度Wo變窄。加負偏壓-E時，勢壘寬度就添加。

     肖特基整流管的基本結構原理與PN結整流管有很大的區(qū)別通常將PN結整流管稱作結整流管， 而把金屬-半導管 整流管叫作肖特基整流管，選用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已面世，這不僅可節(jié)省貴金屬 ，大幅度下降成本，還改善了參數(shù)的一致性。

  肖特基二極管的功用側重體現(xiàn)是在雙極型晶體管BJT的開關電路里邊，經過在BJT上連接Shockley二極管來箝位， 使得晶體管在導通狀態(tài)時其實處于很挨近截止狀態(tài)，從而進步晶體管的開關速度。這種辦法是74LS，74ALS，74A S等典型數(shù)字IC的TTL內部電路中運用的技能。