怎么防止二極管過(guò)載損壞

二極管作為一種基礎(chǔ)電子元器材，一切工程師都知道其具有單向?qū)щ娦浴Ｒ罁?jù)半導(dǎo)體材料分類(lèi)，可分為硅二極管和鍺二極管;依據(jù)據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合分類(lèi)，可分為整流二極管、檢波二極管、開(kāi)關(guān)二極管和穩(wěn)壓二極管。不論怎么分，以為二極管有一個(gè)參數(shù)十分重要，會(huì)直接影響到晶體管是否會(huì)因過(guò)載損壞。

耗散功率

耗散功率也稱(chēng)集電極Z大答應(yīng)耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定答應(yīng)值時(shí)的Z大集電極耗散功率。是某一時(shí)刻電網(wǎng)元件或許全網(wǎng)有功輸入總功率與有功輸出總功率的差值。在線性條件下，導(dǎo)通的耗散功率核算比較簡(jiǎn)單，PD=I2R,或許PD=U2/R;而在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，核算相對(duì)比較復(fù)雜。

二極管的耗散功率與答應(yīng)的節(jié)溫有關(guān)，硅二極管答應(yīng)的Z節(jié)操溫是150℃，而鍺答應(yīng)Z節(jié)操溫85℃。半導(dǎo)體工作溫度是有限的，當(dāng)實(shí)際的功率增大是，其節(jié)溫也將變大，當(dāng)節(jié)溫達(dá)到150℃是，此刻的功率就是Z大的耗散功率。當(dāng)然，耗散功率與封裝巨細(xì)也有必定的關(guān)系，一般封裝大點(diǎn)的器材，其Z大耗散功率也相對(duì)大點(diǎn)，Z常見(jiàn)的就是大功率器材擁有大體積，大面積的散熱金屬面。