肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。電子行業(yè)的每個人都聽說過肖特基，但你真的了解肖特基的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、應(yīng)用范圍以及為什么肖特基被廣泛用于高頻開關(guān)電源嗎？然后讓樂辰帶你進入肖特基的世界。一定要找到我們想要的答案。

　　二極管可根據(jù)材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等；表面接觸二極管和點接觸二極管，根據(jù)其核心結(jié)構(gòu)；整流二極管、探測器二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、lig。ht-.ting二極管、開關(guān)等，根據(jù)其用途二極管、快恢復(fù)二極管等。根據(jù)結(jié)類型可分為半導(dǎo)體結(jié)二極管和金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管，但肖特基二極管是金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管。

一、         肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

肖特基二極管(SBD)又稱肖特基勢壘二極管(SBD)，是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層的低功率、超高速半導(dǎo)體二極管。它的主要特點是小的正向壓降（約0.45伏），短的反向恢復(fù)時間和低的開關(guān)損耗。裝置。Schottky diode在結(jié)構(gòu)和原理上與pn結(jié)二極管有很大的不同。其內(nèi)部由陽極金屬(鉬或鋁制阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、氮外延層(砷材料)、N型硅襯底、N+陰極層和陰極金屬等構(gòu)成，如圖1所示。在N基板和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘的兩端施加正偏壓時(陽極金屬連接到電源的正電極，N型襯底連接到電源的負電極)，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻減??；明智的是，如果在肖特基勢壘的兩端施加反向偏壓，肖特基勢壘層變寬，其內(nèi)阻增加。

　　肖特基二極管的問題是耐壓低，反向漏電流較大。目前，用于功率轉(zhuǎn)換電路的肖特基二極管的一般電平低于150V，平均電流低于100A，反向恢復(fù)時間介于10-40ns之間。肖特基二極管是理想的高頻和低壓電路。

　　二、肖特基二極管應(yīng)用

　　肖特基二極管通常用于開關(guān)電源，但性能從制造商到制造商都有很大的差別。在選擇Schottky時，我們必須考慮以下參數(shù)：

　　1、導(dǎo)通壓降VF

　　當VF是二極管的正向?qū)〞r，二極管兩端的電壓降增加。流過二極管的電流越大，VF越大。二極管溫度越高，VF越小。

　　2、反向飽和漏電流IR

　　IR是指在二極管兩端加反向電壓時流過二極管的電流，肖特基二極管的反向漏電流很大。

　　3、額定電流IF

　　指的是根據(jù)允許的溫度上升，當二極管轉(zhuǎn)換為長期運行時的平均電流值。

　　4. Z大浪涌電流IFSM

　　允許過大的正向電流。它不是一個正常的電流，而是一個瞬時電流。這個值相當大。

　　5.Z大反向峰值電壓VRM

　　即使沒有反向電流，只要反向電壓持續(xù)升高，二極管遲早會損壞。可以添加的反向電壓不是瞬時電壓，而是重復(fù)的正電壓和負電壓。由于交流電壓被添加到整流器，其Z大值是一個重要因素。Z大反向峰值電壓VRM指的是通過擊穿可以避免的Z大反向電壓。目前，肖特基的Z高VRM值為150伏。

　　6. Z大直流反向電壓VR

　　上述Z大反向峰值電壓是重復(fù)峰值電壓，VR是連續(xù)直流電壓的值。對于直流電路，Z大直流反向電壓對于確定允許和上限值是重要的。

　　7.Z高工作頻率fM

　　由于PN結(jié)的結(jié)電容，當工作頻率超過一定值時，其單向電導(dǎo)率會變差。肖特基二極管的FM值高于100GHz。

　　8.反向恢復(fù)時間Trr

　　當工作電壓從正向電壓改變?yōu)榉聪螂妷簳r，二極管的理想工作條件是電流能量的瞬時截止。事實上，拖延時間通常要花一點時間。電流截止延遲量是反向恢復(fù)時間。雖然它直接影響二極管的開關(guān)速度，但并不一定意味著這個值很小。也就是說，當二極管突然被導(dǎo)電反轉(zhuǎn)時，反向電流大大減小到接近IR所需的時間。當大功率開關(guān)管工作在高頻開關(guān)狀態(tài)時，這個指標是非常重要的。

　　9. Z大耗散功率P

　　當二極管流過電流時，它吸收熱量并提高其溫度。事實上，國內(nèi)外的散熱對P也有很大的影響。具體地說，二極管兩端的電壓乘以電流流動和反向恢復(fù)損耗。

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