什么是三極管

（也稱晶體管）在中文含義里邊僅僅對(duì)三個(gè)引腳的擴(kuò)大器材的總稱，咱們常說的三極管。

能夠看到，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里邊的說法是千差萬別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形含義上的的詞匯。
電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里邊“三極管”這個(gè)詞匯的僅有英文翻譯，這是和電子三極管Z早呈現(xiàn)有聯(lián)系的，所以先入為主，也是真正含義上的三極管這個(gè)詞開始所指的物品。其他的那些被中文里叫做三極管的東西，實(shí)際翻譯的時(shí)候是肯定不能夠翻譯成Triode的，不然就麻煩大咯，謹(jǐn)慎地說，在英文里邊根本就沒有三個(gè)腳的管子這樣一個(gè)詞匯！

電子三極管Triode（俗稱電子管的一種）

雙極型晶體管BJT（Bipolar Junction Transistor）

J型場效應(yīng)管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱

V型槽場效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）

注：這三者看上去都是場效應(yīng)管，其實(shí)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、V型槽溝道場效應(yīng)管是單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和雙極（Bipolar）是對(duì)應(yīng)的，所以也能夠總稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）

其間J型場效應(yīng)管對(duì)錯(cuò)絕緣型場效應(yīng)管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應(yīng)管

VMOS是在MOS的基礎(chǔ)上改善的一種大電流，高擴(kuò)大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，差異就是使用了V型槽，使MOS管的擴(kuò)大系數(shù)和作業(yè)電流大幅提高，可是同時(shí)也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改善型產(chǎn)品，可是結(jié)構(gòu)上現(xiàn)已與傳統(tǒng)的MOS發(fā)作了巨大的差異。VMOS只要增強(qiáng)型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管。

1947年12月23日，美國新澤西州墨累山的貝爾試驗(yàn)室里，3位科學(xué)家——巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士在嚴(yán)重而又有條有理地做著試驗(yàn)。他們?cè)趯?dǎo)體電路中正在進(jìn)行用半導(dǎo)體晶體把聲響信號(hào)擴(kuò)大的試驗(yàn)。3位科學(xué)家驚訝地發(fā)現(xiàn)，在他們創(chuàng)造的器材中通過的一部分微量電流，居然能夠操控另一部分流過的大得多的電流，因此產(chǎn)生了擴(kuò)大效應(yīng)。這個(gè)器材，就是在科技史上具有劃時(shí)代含義的效果——晶體管。因它是在圣誕節(jié)前夕創(chuàng)造的，而且對(duì)人們未來的生活發(fā)作如此巨大的影響，所以被稱為“獻(xiàn)給世界的圣誕節(jié)禮物”。這3位科學(xué)家因此一起榮獲了1956年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

晶體管促進(jìn)并帶來了“固態(tài)革新”，進(jìn)而推動(dòng)了全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體電子工業(yè)。作為首要部件，它及時(shí)、普遍地首先在通訊東西方面得到應(yīng)用，并產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結(jié)構(gòu)，集成電路以及大規(guī)模集成電路應(yīng)運(yùn)而生，這樣制造像高速電子計(jì)算機(jī)之類的高精密設(shè)備就變成了實(shí)際。