二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件傍邊，一種具有兩個(gè)電極的設(shè)備，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的運(yùn)用是運(yùn)用其整流的功用。而變?nèi)荻O管（VaricapDiode）則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具有的電流方向性咱們一般稱之為“整流（Rectifying）”功用。二極管Z遍及的功用就是只允許電流由單一方向經(jīng)過(guò)（稱為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。

　　前期的真空電子二極管；它是一種可以單向傳導(dǎo)電流的電子器材。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器材按照外加電壓的方向，具有單向電流的傳導(dǎo)性。一般來(lái)講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)構(gòu)成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩頭構(gòu)成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n結(jié)兩頭載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流持平而處于電平衡狀況，這也是常態(tài)下的二極管特性。

　　前期的二極管包括“貓須晶體（"Cat'sWhisker"Crystals）”以及真空管（英國(guó)稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”）。如今Z遍及的二極管大多是運(yùn)用半導(dǎo)體資料如硅或鍺。

　　特性

　　正向性

　　外加正向電壓時(shí)，在正向特性的開(kāi)端部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻撓效果，正向電流簡(jiǎn)直為零，這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓今后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正導(dǎo)游通，電流隨電壓增大而敏捷上升。在正常運(yùn)用的電流規(guī)模內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓簡(jiǎn)直保持不變，這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。當(dāng)二極管兩頭的正向電壓超越必定數(shù)值，內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱，特性電流敏捷增長(zhǎng)，二極管正導(dǎo)游通。叫做門(mén)坎電壓或閾值電壓，硅管約為0。5V，鍺管約為0。1V。硅二極管的正導(dǎo)游通壓降約為0。6~0。8V，鍺二極管的正導(dǎo)游通壓降約為0。2~0。3V。

　　反向性

　　外加反向電壓不超越必定規(guī)模時(shí)，經(jīng)過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所構(gòu)成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顩r。這個(gè)反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目添加，反向飽和電流也隨之添加。

　　擊穿

　　外加反向電壓超越某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)俄然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失掉單導(dǎo)游電性。假如二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單導(dǎo)游電性不必定會(huì)被永久損壞，在撤除外加電壓后，其功能仍可康復(fù)，不然二極管就損壞了。因此運(yùn)用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。

　　二極管是一種具有單導(dǎo)游電的二端器材，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管由于燈絲的熱損耗，效率比晶體二極管低，所以現(xiàn)已很少見(jiàn)到，比較常見(jiàn)和常用的多是晶體二極管。二極管的單導(dǎo)游電特性，簡(jiǎn)直在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的效果，它是誕生Z早的半導(dǎo)體器材之一，其運(yùn)用也非常廣泛。

　　二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0。7V，鍺管正向管壓降為0。3V，發(fā)光二極管正向管壓降會(huì)隨不同發(fā)光色彩而不同。首要有三種色彩，詳細(xì)壓降參考值如下：赤色發(fā)光二極管的壓降為2。0——2。2V，黃色發(fā)光二極管的壓降為1。8—2。0V，綠色發(fā)光二極管的壓降為3。0—3。2V，正常發(fā)光時(shí)的額定電流約為20mA。

　　二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時(shí)分要接相適應(yīng)的電阻。

　　特性曲線

　　與PN結(jié)一樣，二極管具有單導(dǎo)游電性。硅二極管典型伏安

　　特性曲線（圖）。在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小；當(dāng)電壓超越0。6V時(shí)，電流開(kāi)端按指數(shù)規(guī)則增大，一般稱此為二極管的敞開(kāi)電壓；當(dāng)電壓到達(dá)約0。7V時(shí)，二極管處于徹底導(dǎo)通狀況，一般稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號(hào)UD表明。

　　關(guān)于鍺二極管，敞開(kāi)電壓為0。2V，導(dǎo)通電壓UD約為0。3V。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超越某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)端急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表明。不同類型的二極管的擊穿電壓UBR值不同很大，從幾十伏到幾千伏。

　　反向擊穿

　　齊納擊穿

　　反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種狀況。在高摻雜濃度的狀況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，損壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵捆綁，發(fā)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。假如摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易發(fā)生齊納擊穿。

　　雪崩擊穿

　　另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓添加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，然后與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，發(fā)生新的電子-空穴對(duì)。新發(fā)生的電子-空穴被電場(chǎng)加快后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地添加，致使電流急劇添加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加約束，都可能形成PN結(jié)永久性損壞。

　　效果

　　二極管是Z常用的電子元件之一，它Z大的特性就是單導(dǎo)游電，也就是電流只可以從二極管的一個(gè)方向流過(guò)，二極管的效果有整流電路，檢波電路，穩(wěn)壓電路，各種調(diào)制電路，首要都是由二極管來(lái)構(gòu)成的，其原理都很簡(jiǎn)略，正是由于二極管等元件的創(chuàng)造，才有咱們現(xiàn)在五光十色的電子信息國(guó)際的誕生，已然二極管的效果這么大那么咱們應(yīng)該怎么去檢測(cè)這個(gè)元件呢，其實(shí)很簡(jiǎn)略只要用萬(wàn)用表打到電阻檔丈量一下反向電阻假如很小就闡明這個(gè)二極管是壞的，反向電阻假如很大這就闡明這個(gè)二極管是好的。關(guān)于這樣的根底元件咱們應(yīng)牢牢掌握住他的效果原理以及根本電路，這樣才能為今后的電子技術(shù)學(xué)習(xí)打下杰出的根底。