肖特基二極管是一種低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器材，其反向康復(fù)時間可小到幾個納秒，正導(dǎo)游通壓降僅0.4v左右，而整流電流卻可以到達(dá)幾千安。

  肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，運用二者觸摸面上構(gòu)成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器材。因為N型半導(dǎo)體中存在著很多的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中分散。明顯，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的分散運動。跟著電子不斷從B分散到A，B表面電子濃度逐步降低，表面電中性被破壞，于是就構(gòu)成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場效果之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，然后消弱了因為分散運動而構(gòu)成的電場。當(dāng)建立起必定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子分散運動到達(dá)相對的平衡，便構(gòu)成了肖特基勢壘。

  肖特基勢壘二極管（SBD）具有開關(guān)頻率高和正向壓降低一級優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V,Z高僅約100V,以致于限制了其運用規(guī)模。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校對（PFC）電路中功率開關(guān)器材的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有運用快速康復(fù)外延二極管（FRED）和超快速康復(fù)二極管（UFRD）?，F(xiàn)在UFRD的反向康復(fù)時間Trr也在20ns以上，根本不能滿意像空間站等范疇用1MHz~3MHz的SMPS需求。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS,因為UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，然后使SMPS體積和分量添加，不符合小型化和輕浮化的發(fā)展趨勢。因而，發(fā)展100V以上的高壓SBD,一直是人們研討的課題和重視的熱點。近幾年，SBD已取得了突破性的發(fā)展，150V和 200V的高壓SBD現(xiàn)已上市，運用新型材料制造的超過1kV的SBD也研制成功，然后為其運用注入了新的生機(jī)與生機(jī)。

 肖特基二極管的主要特色：正向壓降低、反向康復(fù)時間快、作業(yè)頻率高、反向耐壓低。